Máximo 4 unidades.
País de origen | China |
Condicion del producto | Nuevo |
Detalle de la Condición | Producto nuevo sellado de fabrica |
Detalle de la garantía | Garantía de 3 años por fallas de fabricacion. |
Modelo | KVR48S40S8T16GB |
Capacidad de almacenamiento | 16 GB |
Dimensiones | 7x3x1cm |
Incluye | Manual |
Garantía | 3 años |
Memoria RAM TecnoMemory SODIMM DDR5 16GB 4800MHz (KVR48S40S8T/16GB) CUENTA CON 3 AÑOS DE GARANTIA.
La Memoria RAM TecnoMemory SODIMM DDR5 16GB 4800MHz combina la última tecnología en memoria con un diseño compacto, ideal para portátiles y dispositivos de alto rendimiento. Con esta memoria, puedes disfrutar de un rendimiento sin interrupciones y una eficiencia energética mejorada, perfecta para tareas exigentes y aplicaciones modernas.
Características principales:
Velocidad ultrarrápida: Ofrece una frecuencia de 4800MHz, ideal para tareas de alto rendimiento como diseño gráfico, edición de vídeo y gaming.
Mayor capacidad: 16GB que garantizan fluidez en multitareas y aplicaciones complejas.
Optimización de energía: Funciona con un bajo voltaje de 1.1V, reduciendo el consumo energético y generando menor calor.
Tecnología avanzada DDR5: Proporciona mayor ancho de banda y menor latencia, optimizando la experiencia en aplicaciones intensivas.
Formato SODIMM: Perfecto para portátiles y equipos compactos.
Especificaciones técnicas:
Modelo: KVR48S40S8T/16GB.
Tipo: DDR5 SODIMM.
Capacidad: 16GB.
Frecuencia: 4800MHz.
Latencia CAS: CL40.
Voltaje: 1.1V.
Compatibilidad: Compatible con portátiles y sistemas que soporten memoria DDR5.
Beneficios:
Aumente la velocidad y la eficiencia general del sistema.
Ideal para usuarios que requieren un rendimiento superior en tareas multitarea o de alto consumo.
Reduce el consumo energético, aumentando la duración de la batería en portátiles.
Garantiza una transición fluida hacia la última tecnología en memoria RAM.
Haz que tu equipo alcance su máximo potencial con la Memoria RAM TecnoMemory SODIMM DDR5 16GB 4800MHz, diseñada para las necesidades del presente y del futuro.